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《SiC MOSFET测试、特性、应用技术概述》报告
澳门皇冠800在线:2019-06-26 浏览次数:116

演讲题目SiC MOSFET测试、特性、应用技术概述

时间2019628日(周五)下午130

地点2教南228


高远个人概况

 

龙腾半导体有限企业技术经理,高级工程师,西安交通大学电气工程专业硕士。2015-2018年在台达电力电子研究中心任资深研发工程师。长期从事功率半导体器件动静态特性测试与评估,熟悉各类高精尖测试设备在电源领域的应用,对SiC功率器件特性与应用挑战有深入研究和深刻认知。


演讲内容概况

 

相比于Si基器件,SiC功率器件拥有更快的开关速度、更高的工作温度上限,使电源产品能够实现更高的效率、更高的功率密度。但SiC MOS让工程师又爱又恨,这是因为SiC MOS在开关过程中具有更高的dv/dtdi/dt并带来一系列问题,如关断电压尖峰、Crosstalk、共摸干扰等,工程师面临诸多技术挑战。

  针对SiC MOSFET应用中的问题,将对以下内容进行讲解

1)SiC功率器件特性

2)SiC MOSFET特性测试

3)di/dt应对

4)dv/dt应对

5)SiC MOSFET驱动电路设计


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